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人类呼吸道 RNA 病，如 SARS-CoV-2 和甲型流感病 (IAV)，通过气道传播在人群中迅速传播，并在世界范围内造成巨大的发病率、亡率、经济损失和流行性疾病。因此，应开发更高效、广谱的消方法用于表面和环境消，以降低人呼吸道RNA病传播的风险。

DUV光照射是一种通过破坏病基因组来灭活病的有效方法。汞灯通常用于病消，但具有性、易碎、体积大、寿命短和产生臭氧等缺点。此外，根据《汞水俣公约》，自 2020 年起禁止生产、进口和出口多种含​​汞产品。因此，现在迫切需要一种环保且高效的杀菌剂。

基于 AlGaN 的 DUV LED 波长可在 365 至 210 nm 范围内可调，是灭菌汞灯的完美替代品，因为它体积小、节能且无污染。

由于 AlN 单晶衬底过于昂贵，基于 AlGaN 的 DUV LED 通常在 AlN/蓝宝石模板上异质外延生长。由于其简单、高效和稳定，HTA方法可能是最有希望获得用于工业应用的高质量AlN/蓝宝石模板的方法。然而，HTA AlN/蓝宝石模板通常表现出很强的压应力(SCS)，这显着影响了上部AlGaN的质量。

一方面，SCS 可以诱导 Stranski-Krastanov (SK) 生长模式并产生 3D 岛，从而导致高密度的螺纹位错和粗糙表面。另一方面，SCS会产生牵引效应，导致成分不均匀和低p掺杂效率。此外，SCS 很可能会在制造过程中损坏器件。因此，在 HTA AlN/蓝宝石模板上外延时，必须松弛 SCS。

目前发表在Opto-Electronic Advances上的一篇文章的作者通过在 SCS AlN/蓝宝石模板基板上外延基于 AlGaN 的 DUV LED 进行了应力工程、器件制备和对人类呼吸道 RNA 病的灭活效率的研究。他们发现，通过在SCS AlN/蓝宝石衬底和AlGaN外延层之间插入超晶格结构，可以有效缓解衬底外延层的SCS，从而使AlGaN外延层的位错密度降低超过可以获得数量级、原子级的平坦表面，提高外延LED界面的质量。